GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

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标准号:GB/T 13539.4-2016

标准名称:低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

代替标准:GB/T 13539.4-2009

发布日期:2016-04-25

实施日期:2016-11-01

批准发布部门:中国电器工业协会

归口单位:全国熔断器标准化技术委员会

起草单位:上海电器科学研究院、人民电器集团有限公司、西安西整熔断器厂、浙江正泰电器股份有限公司、上海西门子线路保护系统有限公司、浙江新力熔断器有限公司、西安中熔电气有限公司、上海电器设备检测所、上海电器陶瓷厂有限公司、好利来(中国)电子科技股份有限公司、美尔森电气保护系统(上海)有限公司、浙江西熔电气有限公司、温州三实电器有限公司、乐清市沪熔特种熔断器有限公司、库柏西安熔断器有限公司

起草人:吴庆云、张丽丽、赖文辉、刘双库、李振飞、周纲、郑爱国、石晓光、林海鸥、李全安、贾炜、李传上、黄旭雄、方径林、张懿、易颖

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1000v或直流1500v的电路如适用,还可用于更高的标称电压的电路。注1 此类熔断体通常称为“半导体熔断体”。注2:在多数情况下,组合设备的一部分可用作熔断器底座由于设备的多样性,难以作出一般的规定组合设备是否适合作熔断器底座,宜由用户与制造厂协商。但是,如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件,他们应符合IEC60269-1:2006的相关要求。注3:IEC60269-6专用于太阳能光伏系统的保护。本部分的目的是确定半导体熔断体的特性,从而在相同尺寸的前提下,可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此,本部分中特别规定了:a)熔断体的下列特性:1)额定值;2)正常工作时的温升;3)耗散功率4)时间一电流特性;5)分断能力;6)截断电流特性和特性;7)电弧电压特性。b)验证熔断体特性的型式试验c)熔断体标志;d)应提供的技术数据(见附录BB)。

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