GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

免费下载
本平台标准仅供学习参考,使用请以正式出版的标准版本为准。

标准号:GB/T 32495-2016

标准名称:表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

发布日期:2016-02-24

实施日期:2017-01-01

批准发布部门:国家标准化管理委员会

归口单位:全国微束分析标准化技术委员会

起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人:马农农、陈潇、何友琴、王东雪

本标准中,详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法,以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016atoms/cm3 到2.5×1021atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品,坑深在50nm及以上。

GB/T 32495-2016 表面化学分析  二次离子质谱  硅中砷的深度剖析方法

GB/T 32495-2016(首页预览图)

声明:资源收集自网络分享,所提供的电子版文档仅供学习参考,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误