标准号：GB/T 34481-2017
标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
发布日期：2017-10-14
实施日期：2018-07-01
批准发布部门：国家标准化管理委员会
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、中科院半导体研究所、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
起草人：惠峰、普世坤、董汝昆
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。
本标准适用于测试位错密度小于1000个／cm2、直径为75mm~150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
