标准号：T/ZZB 2833-2022
标准名称：高压MOSFET用200 mm硅外延片
发布日期：2022-12-08
实施日期：2022-12-31
本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片(以下简称硅外延片)的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺。
本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm~80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件(简称高压MOSFET)。
批发部门：浙江省品牌建设联合会
起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司
起草人：许峰、李慎重、李刚、刘红方、朱华英、李方虎、李艳玲