T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

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标准号:T/ZJATA 0017-2023

标准名称:制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

发布日期:2023-06-20

实施日期:2023-07-20

本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称碳化硅外延设备)的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。

本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm(4英寸)、150 mm(6英寸)和200 mm(8英寸)SiC 晶片的碳化硅外延设备。

批发部门:浙江省分析测试协会

起草单位:浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、浙江求是创芯半导体设备有限公司、中国质量认证中心杭州分中心

起草人:曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、周建灿、刘毅、沈文杰、金玲飞、刘丹丹、余婷、楼科利、朱盛霞

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