标准号：T/CASAS 035-2024
标准名称：用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法
团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期：2024年09月30日
实施日期：2024年09月30日
本文件描述了用于第三象限续流模式（包括硬关断和零电流关断）的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）电力电子动态导通电阻测试方法。
本文件适用于进行GaNHEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
a) GaN增强型分立电力电子器件；
b) GaN集成功率电路；
c) 以上的晶圆级及封装级产品。
起草单位：浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、广东工业大学、工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、南京大学、佛山市联动科技股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、西交利物浦大学、香港科技大学、深圳智芯微电子科技有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、华为技术有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、英诺赛科(苏州)半导体有限公司、纳微达斯半导体（上海）有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、矽力杰半导体技术(杭州)有限公司、浙江聚新汽车电子有限责任公司、连云港杰瑞电子有限公司、晟星和科技（深圳）有限公司、杭州蔚斯博系统科技有限公司、深圳英飞源技术有限公司、深圳市航嘉驰源电气股份有限公司、东莞立讯技术有限公司、深圳市振华微电子有限公司、小米通讯技术有限公司、阳光电源股份有限公司、长城电源技术有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
起草人：吴新科、董泽政、贺致远、施宜军、明鑫、周峰、刘庆源、成年斌、刘雯、孙佳慧、温雷、谢斌、周泉斌、裴轶、林逸铭、陈常、徐迎春、贾利芳、宋清亮、赵晨、徐昌国、王廷营、毛敏、刘钢、柳树渡、赵如、王福强、张天会、林梓彦、王腾飞、蔡磊、赵璐冰。