标准号：GB/T 11073-2007
标准名称：硅片径向电阻率变化的测量方法
代替标准：GB/T 11073-1989
发布日期：2007-09-11
实施日期：2008-02-01
批准发布部门：中国有色金属工业协会
归口单位：中国有色金属工业协会
起草单位：峨嵋山半导体材料厂
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
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