标准号：GB/T 6616-2023
标准名称：半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
发布日期：2023-08-06
实施日期：2024-03-01
代替标准：GB/T 6616-2009
批发部门：国家标准化管理委员会
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江金瑞泓科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、浙江旭盛电子有限公司、昆山海菲曼科技集团有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江海纳半导体股份有限公司、北京通美晶体技术股份有限公司、天津中环领先材料技术有限公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、浙江中晶科技股份有限公司
起草人：何烜坤、刘立娜、马春喜、张海英、任殿胜、王元立、佘宗静、齐斐、詹玉峰、黄笑容、李素青、张颖、潘金平、丁雄杰、朱晓彤、张雪囡、许蓉、李明达、边仿
本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0mm、厚度为0.1mm~1.0mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001Ω·cm~200Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×10³Ω/☐~3.0×10³Ω/☐。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于品片径向电阻率变化的判定。
