标准号：GB/T 24576-2009
标准名称：高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
批准发布部门：国家标准化管理委员会
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人：章安辉、黄庆涛、何秀坤
本标准规定了用高分辨X 射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用 本方法测量Al元素含量时,AlGaAs外延层厚度应大于300nm。
