当前位置:首页 > 国标 > GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

免费下载

标准号:GB/T 1551-2009

标准名称:硅单晶电阻率测定方法

代替标准:GB/T 1551-1995、GB/T 1552-1995

发布日期:2009-10-30

实施日期:2010-06-01

批准发布部门:国家标准化管理委员会

归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人:李静、何秀坤、张继荣、段曙光

u3000u3000本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。 u3000u3000本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的硅单晶圆片的电阻率。

GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

GB/T 1551-2009(首页预览图)

声明:资源收集自网络或用户分享,所提供的电子版文档或存在错误仅供参考,版权归原作者所有,如侵犯您的权益,请联系我们处理。

不能下载?报告错误